Samsung GALAXY S10 det er stadig langt fra lanceringen, men det forhindrer ikke lækerne i at give os information om det koreanske firmas fremtidige smartphonemodel, især da det også er meget ventet. Ifølge nogle oplysninger, der dukkede op i dag, vil Samsung GALAXY S10 komme udstyret med LPDDR5 RAM og UFS 3.0 NAND lagringsmedier, noget der for alvor vil bidrage til at øge ydeevnen på den nye mobiltelefon, som skal være bedre end fremtidens iPhones.
Samsung GALAXY S10 med DDR 5 RAM kunne tilbyde seriøse ydelsesforøg i alle de test, som brugere kan udføre, og disse NAND UFS 3.0-lagringsmedier vil være yderst nyttige til håndtering af store filer. Dem fra Samsung har tænkt sig at starte produktionen af disse komponenter i anden del af dette år, så chancerne for at de ender i Samsung GALAXY S10 er meget store, og så kan Apple få alvorlige problemer.
Samsung GALAXY S10: Samsungs KÆMPE overraskelse
Samsung vil masseproducere LPDDR5- og UFS3.0-chips i anden halvdel af året, og jeg ser frem til Galaxy S10.
- Ice universe (@UniverseIce) 14. Juni, 2018
Samsung GALAXY S10 kunne være den eneste premium-smartphone udstyret med LPDDR5 RAM-hukommelse, og det skyldes, at telefonerne indtil videre bruger LPDDR4 RAM-hukommelse, som alligevel tilbyder høj ydeevne. Det vides endnu ikke, hvor stor stigningen i ydeevnen kunne blive for Samsung GALAXY S10 takket være disse nye RAM-hukommelser, men vi kan forvente minimum 20% i forhold til den forrige generation, i værste fald.
Samsung GALAXY S10 vil også nyde godt af en reduktion i RAM-hukommelsesforbruget, for generelt giver opgraderinger af denne art fordele for både ydeevne og forbrug. Dem fra Samsung vil starte produktionen af disse komponenter mod slutningen af året, men samlingen af de første enheder af Samsung GALAXY S10 med disse komponenter vil først starte mod slutningen af året, eller endda næste år, men alt afhænger på koreanernes evne til at fremstille nok komponenter uden problemer.
