Samsung Electronics, ein weltweit führender Anbieter fortschrittlicher Speichertechnologie, markiert mit dem Start der Massenproduktion für V-NAND der 9. Generation einen bedeutenden neuen Fortschritt in der IT-Branche. Dazu gehört die erste 1 Terabit (Tb) Triple-Level (TLC) NAND-Zelle, die Samsungs Führungsposition im NAND-Flash-Markt stärkt.
„Wir freuen uns, das branchenweit erste V-NAND der 9. Generation anbieten zu können, das zukünftige Anwendungen revolutionieren wird. „Um den sich ständig weiterentwickelnden Anforderungen von NAND-Flash-Lösungen gerecht zu werden, hat Samsung die Grenzen der Zellarchitektur und des Betriebsschemas für unser Produkt der nächsten Generation erweitert“, sagte SungHoi Hur, Leiter Flash Product & Technology des Speichergeschäfts bei Samsung Electronics.
Samsung konnte die Bitdichte von V-NAND der 9. Generation im Vergleich zum V-NAND der 50. Generation um etwa 8 % verbessern und bietet die branchenweit kleinste Zellengröße und dünnste Form. Innovationen wie die Vermeidung von Zellinterferenzen und die Verlängerung der Zelllebensdauer wurden eingesetzt, um die Produktqualität und -zuverlässigkeit zu verbessern.
Samsung kündigt eine äußerst wichtige Premiere für die ganze Welt an
Die neue „Channel Hole Etching“-Technologie von Samsung demonstriert die fortschrittlichen Prozessfähigkeiten des Unternehmens und ermöglicht das gleichzeitige Bohren einer großen Anzahl von Zellschichten. Dies maximiert die Fertigungsproduktivität und ist mit zunehmender Anzahl der Zellschichten unerlässlich.
Der V-NAND der 9. Generation ist außerdem mit der NAND-Flash-Schnittstelle der nächsten Generation, „Toggle 5.1“, ausgestattet, die eine Steigerung der Daten-I/O-Geschwindigkeit um 33 % auf bis zu 3,2 Gigabit pro Sekunde (Gbit/s) unterstützt. Mit dieser neuen Schnittstelle will Samsung seine Position im Hochleistungs-SSD-Markt durch die Ausweitung der Unterstützung für PCIe 5.0 stärken.
Verbesserungen im Low-Power-Design haben zu einer Reduzierung des Stromverbrauchs um 10 % im Vergleich zur Vorgängergeneration geführt. Diese Fortschritte sind von entscheidender Bedeutung in einer Zeit, in der die Reduzierung des Energieverbrauchs und der CO9-Emissionen für Kunden immer wichtiger wird. Samsungs V-NAND der XNUMX. Generation soll eine optimale Lösung für zukünftige Anwendungen bieten und gleichzeitig strenge Nachhaltigkeitsanforderungen erfüllen.
Samsung hat diesen Monat mit der Massenproduktion seines 1-Tb-TLC-V-NAND der 9. Generation begonnen und plant, in der zweiten Hälfte dieses Jahres sein Quad-Level-Cell-Modell (QLC) auf den Markt zu bringen, um weiterhin an der Spitze der Speicherinnovationen zu stehen.
