Samsung, líder mundial en tecnología de innovación, se dispone a redefinir los estándares de la industria de la memoria en la conferencia internacional del circuito de estado sólido IEEE en 2024. El anuncio anticipado del gigante surcoreano sobre el lanzamiento de productos de memoria revolucionarios promete marcar un nuevo capítulo en la evolución. tecnológico.
En el centro de esta innovación está la presentación de la memoria GDDR7, que ya ha captado la atención de la industria por su potencial para mejorar el rendimiento de los sistemas informáticos de alta densidad. Sin embargo, Samsung no se queda ahí. La compañía impresionará aún más al presentar un chip de memoria DDR5 súper rápido que promete cambiar las reglas del juego en la tecnología de memoria.
La DRAM DDR5 de 32 Gb, desarrollada utilizando tecnología avanzada de proceso de 12 nanómetros (nm), es un gran avance con respecto a sus predecesoras. Con el doble de capacidad que una DRAM DDR5 de 16 Gb, este nuevo chip ofrece una solución de memoria de alta capacidad en el mismo tamaño de paquete, lo que subraya el compromiso de Samsung de ampliar los límites de la innovación tecnológica.
Los detalles técnicos del chip DDR5 revelados por Samsung son impresionantes. La velocidad de E/S de hasta 8000 Mbps por pin y la arquitectura de mosaico simétrico, junto con el uso del nodo de fundición de 10 nm de quinta generación, especialmente adaptado para productos DRAM, son evidencia de los incansables esfuerzos de investigación y desarrollo de la empresa.
Samsung lanzará nuevos módulos RAM DDR5 más rápidos
SangJoon Hwang, vicepresidente ejecutivo de Productos y Tecnología DRAM de Samsung Electronics, enfatizó la importancia de este progreso. “Con nuestra DRAM de 32 Gb de clase 12 nm, hemos asegurado una solución que permitirá módulos DRAM de hasta 1 terabyte (TB), lo que nos permitirá estar en una posición ideal para satisfacer las crecientes necesidades de gran capacidad de DRAM en la era de la IA y los grandes datos. " Dijo Hwang.
Esta avanzada tecnología de memoria no solo permite producir módulos de 128 GB sin la necesidad del proceso Through Silicon Via (TSV), sino que también reduce el consumo de energía en aproximadamente un 10 %. Esta es una buena noticia para los centros de datos, que enfrentan demandas de energía cada vez mayores, exacerbadas por las cargas de trabajo de procesamiento de IA.
Los nuevos módulos DDR5 permiten DIMM de 32 GB y 48 GB a velocidades DDR5-8000 en configuraciones de rango único, y también admiten DIMM de 64 GB y 96 GB en configuraciones de rango doble, abriendo nuevos horizontes para el rendimiento de los sistemas informáticos.
A medida que se acerca la conferencia internacional de circuitos de estado sólido IEEE, hay grandes expectativas de que Samsung brinde más detalles sobre esta tecnología revolucionaria. En una era marcada por demandas cada vez mayores de procesamiento rápido y eficiencia energética, las innovaciones en memoria de Samsung prometen brindar soluciones críticas a los desafíos tecnológicos del futuro.
