Samsung Electronics, líder mundial en tecnología de memoria avanzada, marca un nuevo avance significativo en la industria de TI con el lanzamiento de la producción en masa de V-NAND de novena generación. Esto incluye la primera celda NAND de triple nivel (TLC) de 9 terabit (Tb), fortaleciendo aún más la posición de liderazgo de Samsung en el mercado flash NAND.
“Estamos entusiasmados de ofrecer la primera V-NAND de novena generación de la industria, que revolucionará las aplicaciones futuras. Para satisfacer los requisitos en constante evolución de las soluciones flash NAND, Samsung ha superado los límites de la arquitectura celular y el esquema operativo de nuestro producto de próxima generación", afirmó SungHoi Hur, director de productos y tecnología flash del negocio de memoria de Samsung Electronics.
Samsung ha podido mejorar la densidad de bits de la V-NAND de novena generación en aproximadamente un 9 % con respecto a la V-NAND de octava generación, ofreciendo el tamaño de celda más pequeño y el molde más delgado de la industria. Se han aplicado innovaciones como evitar la interferencia de las celdas y extender su vida útil para mejorar la calidad y confiabilidad del producto.
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La nueva tecnología de "grabado de orificios en canales" de Samsung demuestra las capacidades de proceso avanzadas de la compañía, permitiendo perforar simultáneamente un gran número de capas de células. Esto maximiza la productividad de fabricación y es esencial a medida que aumenta el número de capas de células.
La V-NAND de novena generación también está equipada con la interfaz flash NAND de próxima generación, "Toggle 9", que admite un aumento del 5.1 % en las velocidades de E/S de datos, alcanzando hasta 33 gigabits por segundo (Gbps). Con esta nueva interfaz, Samsung planea fortalecer su posición en el mercado de SSD de alto rendimiento ampliando el soporte para PCIe 3,2.
Las mejoras en el diseño de bajo consumo han resultado en una reducción del 10% en el consumo de energía en comparación con la generación anterior. Estos avances son vitales en una era en la que reducir el consumo de energía y las emisiones de carbono se está volviendo crucial para los clientes. Se espera que la V-NAND de novena generación de Samsung proporcione una solución óptima para aplicaciones futuras y al mismo tiempo cumpla con estrictos requisitos de sostenibilidad.
Samsung comenzó la producción en masa de su novena generación TLC V-NAND de 1 TB este mes y planea lanzar su modelo de celda de cuatro niveles (QLC) en la segunda mitad de este año, continuando a la vanguardia de la innovación en memoria.
