Ceux de Chipworks ils/elles ont analysé en détail le visage A7 al iPhone 5S et d'autres composants du nouveau terminal, réussissant même à photographier l'intérieur de la puce conçue par la société américaine. Sans trop surprendre grand monde, ceux de Chipworks affirment que ce composant est produit selon un processus de fabrication de 28 nm, ces derniers mois, d'innombrables rumeurs l'indiquent. Si vous vous demandez d'où vient une partie de la puissance de traitement plus élevée, eh bien, la distance entre chaque transistor sur la puce A7 est de 114 nanomètres, contre 123 nanomètres mesurés pour la puce A6.
Le « pas de grille », ou distance entre chaque transistor, à l'intérieur de l'A7 est de 114 nanomètres, soit plus petit que la distance de 123 nanomètres trouvée dans l'A6. Cela permet à Apple d’emballer autant de puissance que l’A6 dans une zone 77 % plus grande. Mais la puce A7 utilise une quantité d'espace total encore plus grande que l'A6, ce qui signifie que l'espace supplémentaire offert par le processus de 28 nanomètres a permis à Apple d'améliorer considérablement les performances de son dernier processeur mobile.
L'utilisation du procédé de fabrication 28 nm a permis à ceux de Apple et la possibilité d'améliorer l'efficacité énergétique de son nouveau visage, celui-ci étant présenté comme une grande évolution par rapport au modèle précédent. Jusqu'à présent iPhone 5S il a été classé comme le smartphone le plus rapide du monde, selon les premiers benchmarks, et cette puce A7 est à la base de ses très bonnes performances.
