iPhone 7 apportera une mise à niveau majeure à la gamme iPhone de l'entreprise Apple et nous parlons ici à la fois d'un changement de conception important et de nouveaux composants conçus pour nous offrir une bien meilleure expérience utilisateur.
L'un de ces nouveaux composants pour iPhone 7 a été annoncé aujourd'hui par Toshiba et SanDisk, deux des trois fournisseurs de supports de stockage flash NAND pour iPhone et iPad, ils préparent un composant vraiment spécial pour l'année prochaine.
Plus précisément, Toshiba et SanDisk ont annoncé un nouveau type de mémoire basé sur la technologie 3D BiCS NAND, un support de stockage de 32 Go plus rapide et plus économe en énergie que tout autre composant similaire sur le marché, qui sera lancé par les deux sociétés cette année.
Le nouveau produit de Toshiba et SanDisk présente un degré de résistance beaucoup plus élevé que les composants 2D similaires proposés par d'autres fabricants et est produit à l'aide d'un processus de fabrication de 15 nm, il pourrait donc être plus petit que les composants utilisés actuellement.
BiCS FLASH est basé sur un processus d'empilement de 48 couches de pointe qui dépasse la capacité de la mémoire flash NAND bidimensionnelle traditionnelle, tout en améliorant l'endurance de fiabilité d'écriture/effacement et en augmentant les vitesses d'écriture. Le nouvel appareil de 256 Go convient à diverses applications, notamment les SSD grand public, les smartphones, les tablettes, les cartes mémoire et les SSD d'entreprise pour les centres de données.
Le nouveau support de stockage BiCS FLASH entrera en production en septembre de cette année, il n'a donc aucun moyen d'atteindre iPhone 6S, mais cela finira probablement dans iPhone 7 et son apparition pourrait laisser penser qu'Apple est prêt à abandonner les terminaux dotés de 16 Go d'espace de stockage.
Bien sûr, cela pourrait arriver cette année, avant que le nouveau composant n'apparaisse sur le marché, mais il ne faudra pas attendre longtemps avant septembre et nous découvrirons ce qu'Apple a prévu.
