iPhone 7 va être lancé cet automne par la société Apple, et selon certaines informations parues ce jour-là, le nouveau smartphone pourrait disposer d'un nouveau type de mémoire flash ultra-rapide développée par la société Samsung et implémentée dans le Galaxy S7.
Selon une publication asiatique, Apple a engagé Samsung pour acheter des modules de stockage flash NAND ce qui finira dans l'iPhone et probablement l'iPad, la collaboration entre les sociétés reprenant après 4 ans au cours desquels Apple s'est appuyé sur SK Hynix et d'autres sociétés pour les modules de mémoire.
Samsung a implémenté dans le Galaxy S7 un nouveau type de Mémoire Flash NAND UFS qui offre des performances élevées pour le transfert de données, et pourrait même atteindre iPhone 7 si Samsung pouvait le préparer à temps pour une implémentation dans les produits Apple.
L'iPhone 7 pourrait avoir le flash NAND de Samsung
Le problème pour le moment est que ces modules de mémoire doivent être davantage protégés pour émettre moins d'interférences électromagnétiques à l'intérieur du boîtier, et Samsung travaille avec divers partenaires pour apporter ce changement au composant.
Le département DS Memory Business de Samsung Electronics prévoit de fournir des mémoires NAND-Flash à Apple pour les iPhones. Samsung Electronics co-développe un processus de blindage EMI qui utilise la méthode de pulvérisation avec Protec. Le blindage EMI des puces semi-conductrices s'effectue en ajoutant un processus qui recouvre le métal ultra-fin sur la surface de l'emballage.
Considérant que Samsung n'utilise plus ce procédé de protection supplémentaire des modules de mémoire contre les interférences électromagnétiques, il y a des chances que ces modules de mémoire n'atteignent l'iPhone que l'année prochaine.
S'ils arrivent, alors iPhone 7 il pourrait être jusqu'à 2 fois plus rapide que l'iPhone 6S en termes de transfert de données dans le terminal et avec d'autres appareils, mais tout dépend de la capacité de Samsung à préparer les composants pour la mise en œuvre.
