Samsung GALAXY NOTE10 ha annunciato oggi la prima buona notizia per i fan, l'azienda Samsung si prepara ad offrire qualcosa che molti stavano aspettando per il Samsung GALAXY S10, ma sembra che arriverà solo in estate. Più nello specifico, Samsung ha annunciato oggi il lancio del nuovo supporto di memorizzazione eUFS 3.0 da 512 GB, che porterà un sostanziale aumento della velocità di trasferimento dati, ma tutto in estate per il Samsung GALAXY NOTE 10.
Samsung GALAXY NOTE10 sarebbe il primo ad avere questa eUFS 3.0 da 512 GB, essendo il primo tipo di supporto di memorizzazione di questo tipo offerto per i telefoni cellulari, e ovviamente raggiunge anche altri smartphone Android. Questo nuovo supporto di memorizzazione porterà al Samsung GALAXY NOTE 10 velocità di lettura fino a 2100 Mbps, oltre a velocità di scrittura fino a 460 Mbps, e questo significa che tutto sarà fatto molto più velocemente sui telefoni coreani.
Il Samsung GALAXY NOTE 10 avrà un supporto di memorizzazione ultraveloce
Samsung GALAXY NOTE10 avrà velocità di lettura 20 volte più veloci di quelle di una scheda microSD standard, e addirittura 4 volte più veloci di quelle di un normale HD per computer. Ciò significa che le applicazioni e i giochi dovrebbero aprirsi e caricarsi molto più velocemente rispetto ai telefoni attuali, Samsung GALAXY NOTE 10 sarà in grado di aumentare sostanzialmente le prestazioni dei telefoni e di migliorare oltre ogni limite l'esperienza delle persone.
Samsung GALAXY NOTE10 verrà lanciato in estate dall'azienda coreana, verso agosto, ma a partire da questo mese i nuovi supporti di memoria eUFS saranno disponibili per diversi produttori, comprese le versioni con 128 GB di spazio di memoria. Samsung produrrà anche supporti di memorizzazione nelle versioni da 256 GB o 1 TB, quindi per il Samsung GALAXY NOTE 10 ci saranno più opzioni in termini di spazio di archiviazione per gli utenti.
Samsung GALAXY NOTE10 dovrebbe essere lanciato con prezzi leggermente più alti rispetto ai modelli dello scorso anno, ma la differenza verrà dall'implementazione di nuovi componenti più performanti, come questo supporto di memorizzazione.
