Samsung, leader globale nell'innovazione tecnologica, ridefinirà gli standard del settore delle memorie alla conferenza IEEE International Solid-State Circuit del 2024. L'annuncio anticipato del gigante sudcoreano del lancio di prodotti di memoria rivoluzionari promette di segnare un nuovo capitolo nell'evoluzione tecnologico.
Al centro di questa innovazione c’è la presentazione della memoria GDDR7, che ha già catturato l’attenzione del settore per il suo potenziale di miglioramento delle prestazioni dei sistemi informatici ad alta densità. Tuttavia, Samsung non si ferma qui. L'azienda è destinata a stupire ancora di più introducendo un chip di memoria DDR5 superveloce che promette di cambiare le regole del gioco nella tecnologia delle memorie.
La DRAM DDR5 da 32 Gb, sviluppata utilizzando l'avanzata tecnologia di processo a 12 nanometri (nm), rappresenta un grande passo avanti rispetto ai suoi predecessori. Con una capacità doppia rispetto alla DRAM DDR5 da 16 Gb, questo nuovo chip offre una soluzione di memoria ad alta capacità con le stesse dimensioni del package, sottolineando l'impegno di Samsung nello spingere i confini dell'innovazione tecnologica.
I dettagli tecnici del chip DDR5 rivelati da Samsung sono impressionanti. La velocità I/O fino a 8000 Mbps per pin e l'architettura a mosaico simmetrico, insieme all'uso del nodo Foundry da 10 nm di quinta generazione, appositamente adattato per i prodotti DRAM, testimoniano gli instancabili sforzi di ricerca e sviluppo dell'azienda.
Samsung lancerà nuovi moduli RAM DDR5 più veloci
SangJoon Hwang, vicepresidente esecutivo di DRAM Product & Technology presso Samsung Electronics, ha sottolineato l'importanza di questo progresso. “Con la nostra DRAM da 32 Gb di classe 12 nm, ci siamo assicurati una soluzione che consentirà moduli DRAM fino a 1 terabyte (TB), permettendoci di essere nella posizione ideale per soddisfare le crescenti esigenze di grandi capacità DRAM nell’era dell’intelligenza artificiale e dei big data, "Ha detto Hwang.
Questa tecnologia di memoria avanzata non solo consente di produrre moduli da 128 GB senza la necessità del processo Through Silicon Via (TSV), ma riduce anche il consumo energetico di circa il 10%. Questa è una buona notizia per i data center, che si trovano ad affrontare richieste di energia sempre crescenti, esacerbate dai carichi di lavoro di elaborazione dell’intelligenza artificiale.
I nuovi moduli DDR5 abilitano DIMM da 32 GB e 48 GB a velocità DDR5-8000 in configurazioni single-rank e supportano anche DIMM da 64 GB e 96 GB in configurazioni dual-rank, aprendo nuovi orizzonti per le prestazioni dei sistemi informatici.
Con l'avvicinarsi della conferenza IEEE International Solid-State Circuit, sono alte le aspettative che Samsung fornisca maggiori dettagli su questa tecnologia rivoluzionaria. In un'era caratterizzata da richieste sempre crescenti di elaborazione rapida ed efficienza energetica, le innovazioni nel campo delle memorie Samsung promettono di fornire soluzioni cruciali alle sfide tecnologiche del futuro.
