Samsung, de wereldleider op het gebied van innovatietechnologie, is van plan de normen voor de geheugenindustrie te herdefiniëren tijdens de IEEE International Solid-State Circuit-conferentie in 2024. De vroege aankondiging van de Zuid-Koreaanse gigant van de lancering van revolutionaire geheugenproducten belooft een nieuw hoofdstuk in de evolutie te markeren technologisch.
De kern van deze innovatie is de onthulling van GDDR7-geheugen, dat al de aandacht van de industrie heeft getrokken vanwege zijn potentieel om de prestaties van computersystemen met hoge dichtheid te verbeteren. Daar stopt Samsung echter niet. Het bedrijf gaat nog meer indruk maken door een supersnelle DDR5-geheugenchip te introduceren die een game-changer op het gebied van geheugentechnologie belooft te worden.
De 5 Gb DDR32 DRAM, ontwikkeld met behulp van geavanceerde 12 nanometer (nm) procestechnologie, is een grote sprong voorwaarts ten opzichte van zijn voorgangers. Met tweemaal de capaciteit van 5Gb DDR16 DRAM biedt deze nieuwe chip een geheugenoplossing met hoge capaciteit in dezelfde pakketgrootte, wat de toewijding van Samsung onderstreept om de grenzen van technologische innovatie te verleggen.
De technische details van de door Samsung onthulde DDR5-chip zijn indrukwekkend. De I/O-snelheid tot 8000 Mbps per pin en de symmetrische mozaïekarchitectuur, samen met het gebruik van de vijfde generatie 10 nm gieterijknooppunt, speciaal aangepast voor DRAM-producten, zijn het bewijs van de onvermoeibare onderzoeks- en ontwikkelingsinspanningen van het bedrijf.
Samsung zal nieuwe, snellere DDR5 RAM-modules lanceren
SangJoon Hwang, executive vice president van DRAM Product & Technology bij Samsung Electronics, benadrukte het belang van deze vooruitgang. “Met onze 32nm klasse 12Gb DRAM hebben we een oplossing veiliggesteld die DRAM-modules tot 1 terabyte (TB) mogelijk maakt, waardoor we ideaal gepositioneerd zijn om te voldoen aan de groeiende behoefte aan grote DRAM-mogelijkheden in het tijdperk van AI en big data. ' zei Hwang.
Deze geavanceerde geheugentechnologie maakt het niet alleen mogelijk om modules van 128 GB te produceren zonder dat het Through Silicon Via (TSV)-proces nodig is, maar vermindert ook het energieverbruik met ongeveer 10%. Dit is welkom nieuws voor datacenters, die worden geconfronteerd met een steeds groter wordende stroombehoefte, die wordt verergerd door de werklast op het gebied van AI-verwerking.
De nieuwe DDR5-modules maken 32GB en 48GB DIMM's mogelijk met DDR5-8000-snelheden in single-rank configuraties, en ondersteunen ook 64GB en 96GB DIMM's in dual-rank configuraties, waardoor nieuwe horizonten worden geopend voor de prestaties van computersystemen.
Nu de IEEE International Solid-State Circuit-conferentie nadert, zijn de verwachtingen hooggespannen dat Samsung meer details zal geven over deze revolutionaire technologie. In een tijdperk dat wordt gekenmerkt door een steeds toenemende vraag naar snelle verwerking en energie-efficiëntie, beloven de geheugeninnovaties van Samsung cruciale oplossingen te bieden voor de technologische uitdagingen van de toekomst.
