Samsung Electronics, wereldleider op het gebied van geavanceerde geheugentechnologie, markeert een belangrijke nieuwe vooruitgang in de IT-industrie met de lancering van massaproductie voor de 9e generatie V-NAND. Dit omvat de eerste 1 terabit (Tb) triple-level (TLC) NAND-cel, die de leidende positie van Samsung op de NAND-flashmarkt versterkt.
“We zijn verheugd om de eerste 9e generatie V-NAND in de sector aan te bieden, die een revolutie teweeg zal brengen in toekomstige toepassingen. Om aan de steeds veranderende eisen van NAND-flashoplossingen te voldoen, heeft Samsung de grenzen van de celarchitectuur en het operationele schema voor ons product van de volgende generatie verlegd”, aldus SungHoi Hur, hoofd Flash Product & Technology van Memory Business bij Samsung Electronics.
Samsung is erin geslaagd de bitdichtheid van de 9e generatie V-NAND met ongeveer 50% te verbeteren ten opzichte van de 8e generatie V-NAND, waardoor het de kleinste celgrootte en de dunste mal in de branche biedt. Innovaties zoals het vermijden van celinterferentie en het verlengen van de levensduur van cellen zijn toegepast om de productkwaliteit en betrouwbaarheid te verbeteren.
Samsung kondigt een uiterst belangrijke première aan voor de hele wereld
Samsung's nieuwe 'channel hole etching'-technologie demonstreert de geavanceerde procesmogelijkheden van het bedrijf, waardoor grote aantallen cellagen tegelijkertijd kunnen worden geboord. Dit maximaliseert de productieproductiviteit en is essentieel naarmate het aantal cellagen toeneemt.
De 9e generatie V-NAND is ook uitgerust met de NAND-flashinterface van de volgende generatie, "Toggle 5.1", die een toename van 33% in data-I/O-snelheden ondersteunt, tot wel 3,2 gigabits per seconde (Gbps). Met deze nieuwe interface wil Samsung zijn positie op de high-performance SSD-markt versterken door de ondersteuning voor PCIe 5.0 uit te breiden.
Verbeteringen in het energiezuinige ontwerp hebben geresulteerd in een vermindering van het energieverbruik met 10% vergeleken met de vorige generatie. Deze vooruitgang is van cruciaal belang in een tijdperk waarin het terugdringen van het energieverbruik en de CO9-uitstoot cruciaal wordt voor klanten. De XNUMXe generatie V-NAND van Samsung zal naar verwachting een optimale oplossing bieden voor toekomstige toepassingen en tegelijkertijd voldoen aan strenge duurzaamheidseisen.
Samsung is deze maand begonnen met de massaproductie van zijn 1e generatie 9Tb TLC V-NAND en is van plan zijn quad-level cell (QLC)-model in de tweede helft van dit jaar te lanceren, waarmee het een voortrekkersrol blijft spelen op het gebied van innovatie op het gebied van geheugen.
