Dziś wieczorem firma Qualcomm ogłosił wprowadzenie na rynek doskonałego chipa pasma podstawowego dla urządzeń iDevices firmy Apple. Nowy produkt oferuje kompatybilność z sieciami: TD-SCDMA, TD-LTE, LTE na FDD i TDD, zintegrowany GPS oraz kompatybilność z dostępnymi na całym świecie sieciami HSPA+ i EV-DO. Zasadniczo ten nowy chip to wszystko, czego Apple potrzebuje, aby iDevices były kompatybilne z sieciami 4G LTE, ponieważ mówimy o urządzeniu wielofunkcyjnym, które umożliwiłoby terminalom bezproblemową pracę w prawie każdym rodzaju sieci. Chociaż Apple nazwał iPhone'a 4S „telefonem światowym”, ponieważ działa zarówno w sieciach GSM, jak i CDMA, w rzeczywistości iPhone 5 z tym chipem naprawdę można nazwać „telefonem światowym”.
Firma Qualcomm Incorporated (NASDAQ: QCOM) ogłosiła dzisiaj wprowadzenie na rynek platformy referencyjnej wbudowanej łączności danych Gobi™ piątej generacji dla urządzeń mobilnych, w tym laptopów, tabletów i konwerterów o cienkiej obudowie. Technologia ta, oparta na bezprzewodowych modemach pasma podstawowego Gobi 4G LTE firmy Qualcomm, MDM9615™ i MDM9215™, zapewnia szybką łączność LTE w sieciach FDD i TDD na całym świecie, ze wsteczną kompatybilnością zarówno z sieciami HSPA+, jak i EV-DO. Umożliwi to obsługę regionalnych częstotliwości LTE ze wsteczną kompatybilnością z istniejącymi technologiami 2G/3G, umożliwiając urządzeniom Gobi 4G LTE lokalne łączenie się z szybszą siecią LTE i utrzymywanie globalnego połączenia z Internetem w sieciach 3G na całym świecie.
Chociaż Qualcomm nie wspomniał w swoim komunikacie prasowym, że chipy te będą działać również na urządzeniach iDevices, ale tylko z terminalami z systemem Android/Windows 8 itp., nie oznacza to, że Apple nie zaimplementowałby ich nawet w iPadzie 3. Qualcomm to tradycyjny producent partnerem Apple i jest głównym powodem, dla którego sprzedaż iPhone'a 4S nie została zakazana w Niemczech. Dzisiejsza informacja sprawia, że wdrożenie kompatybilności z 4G LTE w terminalu iPhone'a 5 jest prawie pewne. Czas pokaże, czy to samo dotyczy iPada 3.
