Samsung Electronics, światowy lider w dziedzinie zaawansowanych technologii pamięci, wyznacza nowy, znaczący postęp w branży IT, rozpoczynając masową produkcję dziewiątej generacji V-NAND. Obejmuje to pierwsze potrójne (TLC) ogniwo NAND o pojemności 9 terabita (Tb), wzmacniające pozycję lidera firmy Samsung na rynku pamięci flash NAND.
„Jesteśmy podekscytowani możliwością zaoferowania pierwszej w branży dziewiątej generacji V-NAND, która zrewolucjonizuje przyszłe zastosowania. Aby sprostać stale zmieniającym się wymaganiom rozwiązań flash NAND, Samsung przesunął granice architektury ogniw i schematu operacyjnego w przypadku naszego produktu nowej generacji” – powiedział SungHoi Hur, dyrektor działu produktów i technologii Flash w dziale pamięci w Samsung Electronics.
Samsungowi udało się poprawić gęstość bitową dziewiątej generacji V-NAND o około 9% w porównaniu z ósmą generacją V-NAND, oferując najmniejszy rozmiar ogniwa i najcieńszą formę w branży. Aby poprawić jakość i niezawodność produktu, zastosowano innowacje, takie jak unikanie zakłóceń ogniw i wydłużanie ich żywotności.
Samsung ogłasza niezwykle ważną dla całego świata premierę
Nowa technologia „wytrawiania otworów kanałowych” firmy Samsung demonstruje zaawansowane możliwości technologiczne firmy, umożliwiając jednoczesne wiercenie dużej liczby warstw ogniw. Maksymalizuje to produktywność produkcji i jest niezbędna w miarę wzrostu liczby warstw ogniw.
Pamięć V-NAND dziewiątej generacji jest również wyposażona w interfejs flash NAND nowej generacji „Toggle 9”, który obsługuje o 5.1% wzrost prędkości we/wy danych, osiągając do 33 gigabitów na sekundę (Gb/s). Dzięki temu nowemu interfejsowi Samsung planuje wzmocnić swoją pozycję na rynku wysokowydajnych dysków SSD, rozszerzając obsługę PCIe 3,2.
Udoskonalenia w konstrukcji charakteryzującej się niskim poborem mocy spowodowały zmniejszenie zużycia energii o 10% w porównaniu z poprzednią generacją. Postępy te są niezbędne w czasach, gdy ograniczenie zużycia energii i emisji gazów cieplarnianych staje się kluczowe dla klientów. Oczekuje się, że dziewiąta generacja V-NAND firmy Samsung zapewni optymalne rozwiązanie dla przyszłych zastosowań, spełniając jednocześnie rygorystyczne wymagania w zakresie zrównoważonego rozwoju.
Samsung rozpoczął w tym miesiącu masową produkcję dziewiątej generacji 1Tb TLC V-NAND i planuje wprowadzić na rynek model z czteropoziomowymi ogniwami (QLC) w drugiej połowie tego roku, pozostając w czołówce innowacji w dziedzinie pamięci.
