Samsung Galaxy s10 det är fortfarande långt ifrån lansering, men det hindrar inte läckorna från att ge oss information om det koreanska företagets framtida smartphonemodell, särskilt eftersom den också är mycket efterlängtad. Enligt viss information som dök upp idag kommer Samsung GALAXY S10 att vara utrustad med LPDDR5 RAM och UFS 3.0 NAND lagringsmedia, något som på allvar kommer att bidra till att öka prestandan hos den nya mobiltelefonen, som måste vara bättre än framtidens iPhones.
Samsung GALAXY S10 med DDR 5 RAM kan erbjuda allvarliga prestandahöjningar i alla tester som användare kan göra, och dessa NAND UFS 3.0-lagringsmedier kommer att vara extremt användbara för att hantera stora filer. De från Samsung har för avsikt att starta produktionen av dessa komponenter under andra delen av detta år, så chansen att de hamnar i Samsung GALAXY S10 är mycket stor, och då kan Apple få allvarliga problem.
Samsung GALAXY S10: Samsungs ENORMA överraskning
Samsung kommer att massproducera LPDDR5- och UFS3.0-chips under andra halvåret, och jag ser fram emot Galaxy S10.
- Ice universum (@UniverseIce) Juni 14, 2018
Samsung GALAXY S10 kan vara den enda premiumsmarttelefonen utrustad med LPDDR5 RAM-minne, och detta beror på att telefonerna för närvarande använder LPDDR4 RAM-minne, vilket ändå erbjuder hög prestanda. Det är ännu inte känt hur stor prestandaökningen kan bli för Samsung GALAXY S10 tack vare dessa nya RAM-minnen, men vi kan förvänta oss minst 20 % jämfört med föregående generation, i värsta fall.
Samsung GALAXY S10 kommer också att dra nytta av en minskning av RAM-minnesförbrukningen, för generellt sett ger uppgraderingar av detta slag fördelar för både prestanda och förbrukning. De från Samsung kommer att starta produktionen av dessa komponenter mot slutet av året, men monteringen av de första enheterna av Samsung GALAXY S10 med dessa komponenter kommer att börja först mot slutet av året, eller till och med nästa år, men allt beror på på koreanernas förmåga att tillverka tillräckligt med komponenter utan problem.
