Samsung, den globala ledaren inom innovationsteknik, kommer att omdefiniera minnesindustristandarder vid IEEE International Solid-State Circuit-konferensen 2024. Den sydkoreanska jättens tidiga tillkännagivande om lanseringen av revolutionerande minnesprodukter lovar att markera ett nytt kapitel i utvecklingen teknologisk.
Kärnan i denna innovation är avtäckningen av GDDR7-minne, som redan har fångat branschens uppmärksamhet för sin potential att förbättra prestandan hos högdensitetsdatorsystem. Samsung slutar dock inte där. Företaget kommer att imponera ännu mer genom att introducera ett supersnabbt DDR5-minneschip som lovar att bli en spelväxlare inom minnesteknik.
5Gb DDR32 DRAM, utvecklat med hjälp av avancerad 12 nanometer (nm) processteknik, är ett stort steg framåt från sina föregångare. Med dubbelt så stor kapacitet som 5 Gb DDR16 DRAM erbjuder detta nya chip en minneslösning med hög kapacitet i samma paketstorlek, vilket understryker Samsungs engagemang för att tänja på gränserna för teknisk innovation.
De tekniska detaljerna för DDR5-chippet som avslöjats av Samsung är imponerande. I/O-hastigheten på upp till 8000 Mbps per stift och den symmetriska mosaikarkitekturen, tillsammans med användningen av femte generationens 10nm gjutnod, speciellt anpassad för DRAM-produkter, är bevis på företagets outtröttliga forsknings- och utvecklingsinsatser.
Samsung kommer att lansera nya snabbare DDR5 RAM-moduler
SangJoon Hwang, executive vice president för DRAM Product & Technology på Samsung Electronics, betonade vikten av dessa framsteg. "Med vår 32nm klass 12Gb DRAM har vi säkrat en lösning som kommer att möjliggöra DRAM-moduler upp till 1 terabyte (TB), vilket gör att vi kan vara idealiskt positionerade för att tillgodose de växande behoven av stor DRAM-kapacitet i eran av AI och big data, sa Hwang.
Denna avancerade minnesteknik tillåter inte bara 128 GB-moduler att produceras utan behov av Through Silicon Via (TSV)-processen, utan minskar också strömförbrukningen med cirka 10 %. Detta är välkomna nyheter för datacenter, som står inför ständigt ökande kraftbehov som förvärras av AI-bearbetningsarbetsbelastningar.
Nya DDR5-moduler möjliggör 32GB och 48GB DIMM vid DDR5-8000-hastigheter i enkelrankade konfigurationer, och stöder även 64GB och 96GB DIMM i dubbelrankade konfigurationer, vilket öppnar upp nya horisonter för prestanda hos datorsystem.
När IEEE International Solid-State Circuit-konferensen närmar sig är förväntningarna höga på att Samsung ska ge mer information om denna revolutionerande teknik. I en tid präglad av ständigt ökande krav på snabb bearbetning och energieffektivitet, lovar Samsungs minnesinnovationer att tillhandahålla kritiska lösningar på framtidens tekniska utmaningar.
