Intel 3D XPoint zapewnia pamięć 1000 razy szybszą niż pamięć flash NAND

Intel 3D XpointIntel 3D XPoint dostarcza pamięci 1000 razy szybsze od pamięci NAND flash, amerykańska firma twierdzi, że trwałość jej nowych komponentów jest znacznie wyższa niż pamięci stosowanych w obecnych terminalach mobilnych i nie tylko.

Opracowany przez Intel i Micron, 3D XPoint stanowi pierwszą nową pamięć wprowadzoną na rynek od 25 lat. Jest 10 razy gęstsza niż obecne układy DRAM stosowane w komputerach, co umożliwia przechowywanie danych bliżej procesora w celu szybszego dostępu.

3D XPoint oferuje znacznie lepszą wydajność dla smartfonów i tabletów, a na początek obie firmy wprowadzą moduły o pojemności 128 GB, dzięki czemu technologia jest na tyle przemyślana, że ​​od samego początku będzie działać w środowiskach pamięci masowej o dużej pojemności.

Innowacyjna, pozbawiona tranzystorów architektura typu cross-point tworzy trójwymiarową szachownicę, w której komórki pamięci znajdują się na przecięciu linii słów i linii bitów, umożliwiając indywidualne adresowanie komórek. W rezultacie dane można zapisywać i odczytywać w małych rozmiarach, co prowadzi do szybszych i wydajniejszych procesów odczytu/zapisu.

Oprócz znacznie lepszej wydajności, technologia 3D XPoint umożliwiłoby instytucjom finansowym znacznie łatwiejsze wykrywanie nadużyć finansowych, natomiast projekty badawcze powinny móc być realizowane szybciej dzięki skuteczniejszej analizie danych w czasie rzeczywistym.

Na razie nikt nie wie, ile będzie kosztować technologia 3D XPoint, gdy zostanie ona wprowadzona na rynek pod koniec tego roku, ale Intel i Micron udostępnią ją wybranej liczbie klientów, więc rozumiemy, że będzie bardzo droga kiedy się pojawi.

W tym pomyśle może minąć bardzo dużo czasu, zanim 3D XPoint dotrze do produktów konsumenckich, chociaż istnieje duża szansa, że ​​Apple i inne duże firmy będą chciały go szybko wdrożyć.