Samsung Galaxy s10 do premiery jeszcze daleko, ale to nie powstrzymuje przecieków od przekazywania nam informacji na temat przyszłego modelu smartfona koreańskiej firmy, zwłaszcza że jest on również bardzo wyczekiwany. Według niektórych informacji, które dzisiaj się pojawiły, Samsung GALAXY S10 będzie wyposażony w pamięć RAM LPDDR5 i nośniki pamięci UFS 3.0 NAND, co poważnie przyczyni się do zwiększenia wydajności nowego telefonu komórkowego, który musi być lepszy od przyszłych iPhone'ów.
Samsung GALAXY S10 z pamięcią RAM DDR 5 może znacznie zwiększyć wydajność we wszystkich testach, które użytkownicy mogą przeprowadzić, a nośniki pamięci NAND UFS 3.0 będą niezwykle przydatne do obsługi dużych plików. Ci z Samsunga zamierzają rozpocząć produkcję tych podzespołów w drugiej połowie tego roku, więc szanse, że trafią one do Samsunga GALAXY S10 są bardzo duże, a wtedy Apple mógłby mieć poważne problemy.
Samsung GALAXY S10: WIELKA niespodzianka od Samsunga
Samsung w drugiej połowie roku rozpocznie masową produkcję chipów LPDDR5 i UFS3.0, a ja z niecierpliwością czekam na Galaxy S10.
- Lodowy wszechświat (@UniverseIce) 14 czerwca 2018 r.
Samsung GALAXY S10 mógłby być jedynym smartfonem premium wyposażonym w pamięć RAM LPDDR5, a to dlatego, że na razie telefony korzystają z pamięci RAM LPDDR4, która i tak oferuje wysoką wydajność. Nie wiadomo jeszcze, jak duży może być wzrost wydajności Samsunga GALAXY S10 dzięki nowym pamięciom RAM, ale w najgorszym przypadku możemy spodziewać się co najmniej 20% w porównaniu do poprzedniej generacji.
Samsung GALAXY S10 również skorzysta na zmniejszeniu zużycia pamięci RAM, bo generalnie tego typu ulepszenia przynoszą korzyści zarówno pod względem wydajności, jak i zużycia. Ci z Samsunga rozpoczną produkcję tych podzespołów pod koniec roku, ale montaż pierwszych egzemplarzy Samsunga GALAXY S10 z tymi podzespołami rozpocznie się dopiero pod koniec roku, a może nawet w przyszłym, ale wszystko zależy od na zdolność Koreańczyków do bezproblemowego wyprodukowania wystarczającej liczby komponentów.
