Samsung Anunta o PREMIERA Extrem de Importanta pentru Intreaga Lume

Samsung Electronics, lider mondial în tehnologia avansată de memorie, marchează un nou progres semnificativ în industria IT cu lansarea producției de masă pentru V-NAND de a 9-a generație. Aceasta include prima celulă NAND de 1 terabit (Tb) cu trei niveluri (TLC), consolidând astfel poziția Samsung de lider în piața flash NAND.

“Suntem încântați să oferim primul V-NAND de a 9-a generație din industrie, care va revolutiona aplicațiile viitoare. Pentru a răspunde cerințelor în continuă evoluție ale soluțiilor flash NAND, Samsung a împins limitele arhitecturii celulare și ale schemei operaționale pentru produsul nostru de ultimă generație”, a declarat SungHoi Hur, șeful departamentului Flash Product & Technology al Memory Business la Samsung Electronics.

Samsung a reușit să îmbunătățească densitatea de biți a V-NAND din generația a 9-a cu aproximativ 50% față de generația a 8-a V-NAND, oferind cea mai mică dimensiune a celulei și cel mai subțire mucegai din industrie. Inovații precum evitarea interferențelor celulare și extinderea duratei de viață a celulei au fost aplicate pentru a îmbunătăți calitatea și fiabilitatea produsului.

Samsung Anunta o PREMIERA Extrem de Importanta pentru Intreaga Lume

Noua tehnologie Samsung de „gravare a găurilor de canal” demonstrează capacitățile avansate de proces ale companiei, permițând găurirea simultană a unui număr mare de straturi de celule. Aceasta maximizează productivitatea fabricării și este esențială pe măsură ce numărul de straturi celulare crește.

Generația a 9-a V-NAND este, de asemenea, echipată cu interfața flash NAND de generație următoare, „Toggle 5.1”, care suportă o creștere de 33% a vitezelor de intrare/ieșire a datelor, ajungând până la 3,2 gigabiți pe secundă (Gbps). Odată cu această nouă interfață, Samsung intenționează să consolideze poziția sa pe piața SSD-urilor de înaltă performanță, extinzând suportul pentru PCIe 5.0.

Îmbunătățirile în designul de putere redusă au condus la o reducere cu 10% a consumului de energie față de generația anterioară. Aceste progrese sunt vitale într-o eră în care reducerea consumului de energie și a emisiilor de carbon devine crucială pentru clienți. Se așteaptă ca V-NAND de a 9-a generație de la Samsung să ofere o soluție optimă pentru aplicațiile viitoare, respectând cerințele stringente de sustenabilitate.

Samsung a demarat producția de masă pentru V-NAND de 1Tb TLC de a 9-a generație luna aceasta și planifică lansarea modelului de celule cu patru niveluri (QLC) în a doua jumătate a acestui an, continuând să fie la avangarda inovației în tehnologia de memorie.