Intel 3D XPoint brengt herinneringen 1000 keer sneller dan NAND-flash-geheugens, waarbij het Amerikaanse bedrijf beweert dat de duurzaamheid van zijn nieuwe componenten veel hoger is dan die van de herinneringen die in de huidige mobiele terminals worden gebruikt, en niet alleen dat.
Ontwikkeld door Intel en Micron, 3D XPoint het vertegenwoordigt het eerste nieuwe geheugen dat in de afgelopen 25 jaar is gelanceerd. Het is tien keer dichter dan de huidige DRAM-chips die in computers worden gebruikt, waardoor gegevens dichter bij de processor kunnen worden opgeslagen voor snellere toegang.
3D XPoint het biedt veel betere prestaties voor smartphones en tablets, en om te beginnen zullen de twee bedrijven modules lanceren met 128 GB opslagruimte, dus de technologie is goed doordacht genoeg om vanaf het allereerste begin te werken in opslagomgevingen met hoge capaciteit.
De innovatieve, transistorloze kruispuntarchitectuur creëert een driedimensionaal schaakbord waarbij geheugencellen zich op de kruising van woordlijnen en bitlijnen bevinden, waardoor de cellen individueel kunnen worden geadresseerd. Als gevolg hiervan kunnen gegevens in kleine formaten worden geschreven en gelezen, wat leidt tot snellere en efficiëntere lees-/schrijfprocessen.
Afgezien van de veel betere prestaties, de technologie 3D XPoint zouden financiële instellingen in staat moeten stellen fraude veel gemakkelijker op te sporen, terwijl onderzoeksprojecten sneller zouden moeten kunnen worden uitgevoerd door efficiëntere realtime data-analyse.
Voorlopig weet niemand hoeveel de 3D XPoint-technologie gaat kosten als deze eind dit jaar wordt gelanceerd, maar Intel en Micron zullen deze beschikbaar stellen aan een select aantal klanten, dus we kunnen begrijpen dat het erg duur zal zijn wanneer het verschijnt.
In dit idee zou het heel lang kunnen duren voordat 3D XPoint consumentenproducten zou kunnen bereiken, hoewel de kans groot is dat Apple en andere grote bedrijven het snel willen implementeren.
