Samsung GALAXY S26 „Edge” intră tot mai clar în lumina reflectoarelor, după ce o nouă listare în Geekbench a livrat primele indicii solide despre următorul SoC de top al producătorului american Qualcomm și despre viitorul vârf al seriei. Potrivit acestor informații, platforma promite un salt consistent de performanță, cu viteze mai mari ca niciodată, semn că Samsung pregătește o lansare ambițioasă pentru Samsung GALAXY S26.
În baza de date Geekbench și-a făcut apariția Qualcomm Snapdragon 8 Elite Gen 2, cu numele intern SM8850, alături de rezultate obținute pe un smartphone de top din familia Galaxy S26.
A fost listat un dispozitiv identificat ca „SM-S947U”, care, pe baza denumirilor folosite de companie, ar putea corespunde versiunii Samsung GALAXY S26 Edge. Acest model ar fi succesorul direct al lui Galaxy S25 Edge, terminalul remarcat pentru profilul deosebit de subțire și introdus în urmă cu câteva luni ca al patrulea membru al gamei de flagshipuri.
Lista Geekbench indică faptul că, în ediția „for Galaxy”, cipul rulează la o frecvență maximă crescută până la 4,74 GHz. Arhitectura notează două nuclee de performanță absolută și încă șase nuclee „Oryon V3”, capabile să atingă 3,63 GHz, în timp ce partea grafică este asigurată de o unitate „Adreno 840”. În testul menționat, presupusul Samsung GALAXY S26 Edge a fost evaluat într-o configurație de pre-producție cu 12 GB de memorie RAM, context care sugerează că optimizările finale ar putea îmbunătăți suplimentar rezultatele.
Chiar și așa, punctajele inițiale sunt promițătoare. Snapdragon 8 Elite Gen 2 a obținut 3.393 de puncte în single-core și 11.515 puncte în multi-core, valori care ar poziționa noul SoC cel puțin peste Apple A18 Pro din iPhone 16 Pro Max, depășindu-l în același timp semnificativ pe predecesorul său.
Există însă o limitare importantă subliniată de aceeași listă: în acest test timpuriu, procesorul nu a rulat la viteză maximă. În locul plafonului de 4,74 GHz, a fost atins doar pragul de 4,0 GHz, probabil pentru că a fost vorba despre o etapă incipientă în care „performanța maximă” nu a fost activată. Această marjă lasă loc pentru un plus de viteză pe măsură ce dezvoltarea avansează.
Pe lângă motorul de performanță, schița hardware a viitorului Samsung GALAXY S26 Edge conturează un pachet atractiv pentru utilizarea de zi cu zi. Potrivit informațiilor actuale, telefonul ar urma să ofere un ecran OLED de 6,7 inci, o cameră selfie de 12 megapixeli, o cameră principală de 200 de megapixeli și o cameră ultra-wide de 50 de megapixeli.
Totodată, se discută despre o creștere a capacității bateriei la 4.200 mAh, care, datorită unei tehnologii mai moderne a acumulatorilor, ar fi găzduită într-o carcasă și mai subțire. Calendarul indică o lansare probabilă în ianuarie 2026, în linie cu tradiția recentă a brandului.
Până atunci, semnalele din Geekbench și indiciile menționate de SamMobile conturează un portret convingător pentru Samsung GALAXY S26: un dispozitiv care mizează pe Snapdragon 8 Elite Gen 2 (SM8850), grafică Adreno 840 și nuclee Oryon V3, capabil să ridice ștacheta performanței, în timp ce promite îmbunătățiri notabile la ecran, camere și autonomie. Pentru fanii seriei, Galaxy S26 Edge ar putea fi pasul înainte așteptat.
